松下開發出將Si基板上氮化鎵（GaN）晶體管的耐壓提高至5倍以上的技術
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人瀏覽 五, 2010/12/10 - 11:44 — wendymeng
松下半導體（Panasonic Semiconductor）開發出了可將硅（Si）基板上形成的氮化鎵（GaN）功率晶體管的耐壓提高至5倍以上的技術，有望實現3000V以上的耐壓。
松下半導體解明了GaN功率晶體管的耐壓只取決於GaN膜耐壓的原因，並對該問題產生的原因——流過硅基板和GaN表面的洩漏電流進行了抑制，從而提高了GaN功率晶體管的耐壓。使GaN膜厚度達到1.9μm，耐壓達到2200V，提高至原來的5倍以上。
此外，松下半導體表示，如果使用過去曾報告過的9μm的GaN膜厚度，將有可能實現3940V的耐壓。
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